• Переседова Д.А.

  Спектральные и температурные зависимости импульсной катодолюминесценции азот-вакансионных центров в алмазе при температуре от 80 К до 300 К

  НИ ТГУ, Томск

  Работа посвящена изучению спектральных и температурных зависимостей катодолюминесценции в алмазах с различным азот-вакансионным составом. Облучение алмазных образцов проводилось сверхкоротким импульсным электронным пучком (энергия электронов до 300 кэВ) на ускорителе НОРА с отпаянной электронной трубкой ИМА-3 150Э. Получены спектры катодолюминесценции алмазных образцов в температурном диапазоне от 80 К до 300 К и исследованы их температурные зависимости. Рассчитаны спектры катодолюминесценции алмазных образцов при пониженных температурах.

• Кукенов О.И., Соколов А.С.

  Анализ длины димерного ряда при гетероэпитаксиальном росте Ge/Si(100) методом дифракции быстрых отражённых электронов

  НИ ТГУ, Томск

  Прогресс в области полупроводниковой наноэлектроники неизбежно связан с улучшением качества наноструктур и их параметров. Создание идеализированных наноструктур становится возможным при правильном подборе ростовых параметров и понимании процессов на поверхности во время роста. В работе представлено исследование длины сверхструктуры 2xN от температуры в широком диапазоне при синтезе Ge на Si(100).

• Пфайф А.А.

  Флуоресценция, как средство для формирования признаков классификации морских организмов

  НИ ТГУ, Томск

  В настоящей работе рассмотрена возможность применения Рамановской спектроскопии одноклеточных водорослей для их визуализации. Под действием синего излучения фитопланктонные клетки начинают светиться. Для регистрации и наблюдения планктонных организмов используется погружная цифровая голографическая камера, позволяющая получить информацию о каждой исследуемой частице в заданной единице объема. Представлены результаты наблюдения микроскопической водоросли – хлореллы.

• Григоров Я.И.

  Люминесценция единичных частиц вольфрамово-рудных концентратов Барун-Нарынского техногенного месторождения

  ИГУ, Иркутск; Иркутский филиал ИЛФ СО РАН, Иркутск

  Целью работы являлось следующее: применяя лазерно-люминесцентные методы исследования, получить детальную информацию о свойствах концентрата винтовой сепарации Барун-Нарынского техногенного месторождения, а также получение информации для характеризации месторождения и метода обогащения. Используя спектроскопию комбинационного рассеяния и сканирующеую люминесцентную микроспектроскопию удалось определить минеральный состав случайная выборка соответствует химическому анализу.

• Жамус А.Я.

  Исследование генерации второй гармоники в новых терхкатионных скандоборатах методом Куртца-Перри

  НИ ТГУ, Томск

  В данной работе исследованы нелинейно-оптические свойства новых трёхкатионных скандоборатых кристаллов R_xLa_ySc_z(BO₃)₄ (R = Eu, Ho; x+y+z=4). Порошковым методом Куртца-Перри изучена эффективность генерации второй гармоники (ГВГ) излучения наносекундного Nd:YAG-лазера. Определены величины эффективной нелинейной восприимчивости (deff) изученных кристаллов и обсуждено влияние их химического состава на эффективность ГВГ.

• Крылов А.А.

  Температурное тушение катодолюминесценции алмаза в диапазоне температур 300-800 К

  НИ ТГУ, Томск

  Проведено спектральное исследование температурного тушения катодолюминесценции алмазных образцов с различным примесно-дефектным составом в диапазоне температур от 300 до 800К. Облучение образцов проводилось пучком электронов с энергиями до 300 кэВ. Получены данные о температурном тушении различных примесно-дефектных центров в алмазе.

• Густомясов В.В.

  УФ детекторы на основе пленок оксида галлия

  НИ ТГУ, Томск

  В настоящее время интенсивно исследуются солнечно-слепые УФ-детекторы на основе оксида галлия. Пленки оксида галлия обладают большими временами отклика, которые превышают несколько секунд. Работа направлена на поиск способа снижения времени релаксации в структурах. Для этого были получены пленки оксида галлия, легированные титаном. Были исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур. Данная работа рассматривает влияние титана на временные характеристики пленок оксида галлия.

• Бородулин З.И.

  Влияние примесей и дефектов кристаллической решетки на электролюминесценцию алмаза

  НИ ТГУ, Томск

  В данной работе исследуются ВАХ и спектры электролюминесценции алмазов с различными примесями и дифектами. Представлены ВАХ и спектры зарегистрированные при изменении среды и ее температуры. Так же представлены зависимости спектров и проводимости при электроинжекционной накачке от длин волн оптической накачки.

• Буллер А.С.

  Три связанных пространственных солитона в лево-ориентированной пленке на право-ориентированной подложке с эффектом Керра

  НИ ТПУ, Томск

  Рассмотрены различные варианты распространения трех связанных световых пучков, образованных ТЕ2-модами планарного волновода на основе тонкой лево-ориентированной пленки на керровской подложке на частоте вблизи ноля групповой скорости. Определены условия распространения трех связанных пространственных солитонов с положительными и отрицательными групповыми скоростями при различных знаках нелинейного оптического коэффициента подложки. Показана возможность согласованного распространения двух светлых (темных) и одного темного (светлого) солитона.

• Киселева О., Кушнарев Б.О., Цымбалов А.В.

  Электрофизические свойства структур Ga₂O₃/GaAs

  НИ ТГУ, Томск

  В данной работе исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga₂O₃/n(p)-GaAs. Пленку оксида галлия получали ВЧ магнетронным напылением на подложки n-GaAs с концентрацией Nd = 9.5ˑ1014 cм^-3, либо р-GaAs с Nа = 9.5ˑ10¹⁵ cм^-3.Толщина оксидной пленки равнялась 120 нм. Для измерений электрических характеристик на поверхность Ga₂O₃ напыляли платиновые контакты через маски. Площадь электрода к Ga₂O₃ составляла 1.04 мм^-2. Со стороны полупроводниковой подложки контакты были получены в виде сплошной металлической пленки Au:Ge. Часть образцов получена тем же способом на пластинах GaAs:Сr. Измерения на частоте 10⁶ Гц показали, что вольт-фарадные и вольт-сименсные зависимости образцов на основе n-GaAs описываются кривыми, характерными для структур металл-диэлектрик-полупроводник и обнаруживают слабую чувствительность к излучению с λ = 254 нм. При работе на постоянном сигнале образцы проявляют свойства фотодиода и способны работать в автономном режиме. Фотоэлектрические характеристики детекторов во время непрерывного действия излучения с λ = 254 нм определяются высокой плотностью ловушек на границе Ga₂O₃/GaAs и в объеме оксидной пленки. Средние значения напряжения холостого хода Uхх структур Ga₂O₃/n-GaAs составляют 0,4 В, ток короткого замыкания Iкз =1ˑ10^-6 А. Если при прочих равных условиях Ga₂O₃ наносится на пластину GaAs:Сr, то Uхх повышается до 0,8 В, а Iкз = 6ˑ10^-9 А. Исследования выполнены при поддержке гранта № 075-15-2022-1132.

• Попова А.С.

  Температурные зависимости экситонной люминисценции в беспримесном алмазе

  НИ ТГУ, Томск

  В данной статье представлены спектры фотолюминесценции синтетического беспримесного алмаза, возбуждаемой импульсным лазерным излучением на 222 нм с энергией от 4 мДж до 25 мДж. Спектры были получены в температурном диапазоне от 85 К до 300 К. Проанализированы температурные и энергетические зависимости интенсивности фотолюминесценции.

• Шейнбергер А.А., Цехановская М.С., Иваничко С.П., Майкова А.В., Кузьмин А.С.

  Многослойные просветляющие покрытия для ИК-диапзона

  ТУСУР, Томск

  В работе представлены расчетные и экспериментальные результаты проектирования многослойных просветляющих покрытий на поверхности кварцевых подложек для диапазона значений длины волны 1310-1550 нм. Формирование просветляющих покрытий осуществлялось методом ионно-плазменного распыления.

• Мурашко С.Н., Сафьянов А.Д.

  Дистанционное обнаружение органофосфатов

  ТГУ, Томск; ИОА СО РАН, Томск

  Представлены результаты по дистанционному обнаружению фосфорорганических соединений методом лазерной фрагментации/лазерно-индуцированной флуоресценции на расстоянии 10 метров.

• Болотов Д.В., Бушуев Э.Ю.

  Воздействие внешних электрических полей на волоконно-оптические линии связи

  МТУСИ, Москва

  Создан экспериментальный стенд для исследования изменения характеристик канала связи в волоконно-оптической линии связи при воздействии электромагнитных полей, формируемых на лабораторной установке имитации грозовых разрядов. Установлено, что электрические поля от облака заряженного аэрозоля существенным образом изменяет поляризацию излучения распространяющегося по волоконно-оптической линии связи. Исследованы зависимости угла поворота плоскости поляризации от параметров электрических полей, формируемых на лабораторной установке.

• Войтенко Д.С.

  Исследование спектров фотолюминесценции свободных экситонов и электронно-дырочной жидкости в беспримесном алмазе

  ТГУ, Томск

  Исследованы спектров фотолюминесценции в полосах излучательной рекомбинации свободных экситонов и их конденсата в номинальном «беспримесном» образце синтетического алмаза в диапазоне 80-300 К. Возбуждение производилось KrCl-лазером с длиной волны излучения 222 нм.

• Лыга О.И.

  Температурные зависимости спектров фотолюминесценции NV-центров алмаза под действием приложенного магнитного поля

  ТГУ, Томск

  Исследованы температурные зависимости интенсивности фотолюминесценции NV-центров в алмазе от наличия или отсутствия дополнительного магнитного поля, с величиной остаточной индукции порядка 0,4 Тл в диапазоне температур 14 - 360 К. Возбуждение фотолюминесценции осуществлялось диодным лазером с длинной волны 405 нм.

• Чащин В.В.

  Расчет зависимости характеристик просветляющего покрытия на алмазе с измененной поверхностью от формы и размера каналов

  ТГУ, Томск

  Создана модель просветляющего покрытия алмаза с измененным поверхностным рельефом. Рассчитаны коэффициенты пропускания и отражения для каналов трех форм (трапеция, треугольник, полукруг). Приведены оптимальные размеры геометрии для каждой формы сечения канала.

• Якименко Ф.А.

  Оценка средней скорости распределения ключей в оптическом канале связи между беспилотными летательными аппаратами

  ТГУ, Томск

  В данной работе представлены результаты моделирования средней скорости передачи данных в оптическом канале связи между беспилотными летательными аппаратами. Получены зависимости средней скорости распределения ключей по протоколу BB84 от диаметров выходных и входных линз приёмопередающих блоков с учётом ослабления лазерного излучения за счет поглощения атмосферой и возникающей в ней турбулентности.

• Диб Х., Хомякова К.И.

  Моделирование и оптимизация коэффициента усиления и полосы пропускания лавинного фотодиода на основе кремния и германия

  ТГУ, Томск

  В данной работе проведено моделирование лавинного фотодиода на основе Ge/Si. Предсталены зависимости коэффициента умножения от напряжения и полосы пропускания от напряжения для разных толщин слоев поглощения и умножения.

• Бахус А.В., Болтанский М.В., Шульга М.И., Шкрабин Д.В., Волков А.А.

  Реализация квантового генератора случайных чисел

  МТУСИ, Москва; РУДН, Москва; НИЯУ МИФИ, Москва

  В работе представлен пример реализации квантового генератора случайных чисел на основе научно-образовательного комплекса, для дальнейшего использования в целях обучения студентов. Была получена гистограмма, описывающая распределение вероятности значений генерируемых импульсов. Также была получена последовательность случайных бит, которая была проверена на характер случайности. На основе всех полученных данных, был сделан вывод о достоверности работы собранного генератора.

• Кемеров М.Р.

  Спектрометрия органических люминофоров класса BODIPY

  Сибирский лицей, Томск

  Актуальность нашего исследования обусловлена необходимостью разработки более эффективных и безопасных отечественных технологий, в основе которых лежит использование люминофоров. В целях выявления спектрально-люминесцентных характеристик наиболее перспективных комплексов были проведены анализы бор-фторидных комплекса дипиррометена с различными лиганд-заместителями с помощью спектрометра CM-2203 с ксеноновой лампой при комнатной температуре. В работе представлены результаты спектроскопии исследуемых веществ, а также особенности спектрально-люминесцентных характеристик в зависимости от структуры лиганда и среды, в которую они внедрены.

Диплом I степени

Кемеров Максим Русланович за доклад «Спектрометрия органических люминофоров класса BODIPY» (МАОУ "Сибирский лицей", г. Томск)

Мурашко Сергей Николаевич за доклад «Дистанционное обнаружение органофосфатов» (НИ ТГУ, г. Томск)

Диплом II степени

Григоров Ярослав Иванович за доклад «Люминесценция единичных частиц вольфрамово-рудных концентратов Бурун-Нарынского техногенного месторождения» (ИГУ, Иркутский филиал ИЛФ СО РАН, г. Иркутск)

Крылов Александр Александрович за доклад «Температурное тушение катодолюминесценции алмаза в диапазоне температур 300-800 К» (НИ ТГУ, г. Томск)

Лыга Ольга Игоревна за доклал «Температурные зависимости спектров фотолюминесценции NV-центров алмаза под действием приложенного магнитного поля» (НИ ТГУ, г. Томск)

Диплом III степени

Буллер Альберт Сергеевич за доклад «Три связанных пространственных солитона в лево-ориентированной пленке на право-ориентированной подложке с эффектом Керра» (НИ ТПУ, г. Томск)